在近年来,光子Chern材料具有拓扑边缘状态,这些状态具有强大的疾病,有望实现缺陷 - 不合时宜的光子晶体平板设备。然而,以前已忽略了这些光子Chern板的平面外辐射损失,从而预测这些系统的拓扑保护的准确性有限。在这里,我们开发了一个通用框架,用于测量光子系统中的拓扑保护,例如光子晶体板中,同时考虑了平面内和平面外辐射损耗。我们的方法依赖于频谱定位器,该光谱定位器结合了系统的位置和哈密顿矩阵来绘制系统拓扑结构的真实图案。这种基于操作员的拓扑方法使我们能够使用有限元元素方法(FEM)离散化后直接从全波麦克斯韦方程中得出的有效哈密顿量,从而完整地说明了系统的所有物理过程。由于光谱fem-localizer是由系统主方程的fem离散化构建的,因此所提出的框架适用于任何物理系统,并且与常用的FEM软件兼容。向前迈进,我们预计该方法的一般性是有助于对广泛的复杂物理系统进行拓扑分类的一般性。
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